無晶圓廠環保科技半導體公司 CAMBRIDGE GAN DEVICES (CGD)獲3,200萬美元融資，推動全球功率半導體產業成長
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- 劍橋大學衍生企業完成C輪融資，將擴大其在劍橋、台灣和歐洲業務版圖。
- 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（CGD）開發高效能氮化鎵（GaN）半導體，重塑功率電子產業的未來。
- CGD的技術將助力電動車和數據中心提升能源效率，在全球功率半導體產業中帶來重大機遇。
英國劍橋 - 無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)近期成功完成3,200萬美元的C輪融資。本輪融資由策略投資者領投，英國長期資本（British Patient Capital）參投，並獲得現有投資方Parkwalk、BGF、Cambridge Innovation Capital（CIC）、Foresight Group和IQ Capital的大力支持。
氮化鎵（GaN）技術革新功率電子領域
氮化鎵（GaN）功率元件正在突破傳統功率電子技術的限制，相較於矽基解決方案，它具有更快的開關速度、更低的能耗和更緊湊的設計。英商劍橋氮化鎵器件有限公司(CGD) 自研的單晶片ICeGaN®技術簡化了GaN元件在現有和新興設計的應用，也將效率水準提升至99%以上，可為電動車和數據中心電源等高功率應用節省50%的能源。這項創新技術可望每年減少數百萬噸的二氧化碳排放，並憑藉ICeGaN®技術固有的易用性，為全球進一步邁向永續能源系統提供強勁動力。
Giorgia Longobardi 博士 | GGD創辦人兼執行長（CEO）
「本輪融資對CGD而言是一個里程碑式的突破，證明了市場對我們技術和願景的高度認可。我們將繼續推動高能效氮化鎵（GaN）解決方案變革及功率電子行業的可持續發展。現在我們已準備加速成長，大幅降低多個領域的能源消耗。我們期待與策略投資者合作，進一步拓展汽車市場。」
市場機遇與成功實踐
全球氮化鎵（GaN）功率元件市場預計將以41%的年複合成長率（CAGR）高速成長，到2029年市場規模將達到20億美元1。同時，ICeGaN®技術將成為碳化矽（SiC）解決方案的可行替代方案，它結合了高能源效率、小型化和單晶片整合的智慧功能。這將使CGD在2029年有機會進入超過100億美元的高功率市場1。憑藉其領先的技術和市場領導地位，CGD已做好充分準備迎接市場的快速擴張。 CGD已成功獲得業界領先客戶的青睞，並持續展現出其提供可靠且具影響力解決方案的能力，推動產業創新。
Henryk Dabrowski | CGD全球銷售資深副總裁
“我很高興看到這筆融資能支持我們更快地交付已簽署客戶訂單的最新一代P2產品。這項融資將大大提升我們的能力，並滿足市場對高可靠且易用的GaN解決方案快速增長的需求。”
全球擴張與未來願景
憑藉全球專家團隊、數十年的研究經驗以及持續創新的氮化鎵GaN技術，CGD將持續提供能提升日常電子產品性能的解決方案。隨著全球電氣化和永續發展進程的加快，CGD在GaN技術領域的領先地位為降低能源消耗和成本，減少環境影響提供了路徑。透過打造高效、小巧且高效能的功率元件，CGD正在為永續功率電子產業樹立新標準。
本輪融資將協助CGD在英國劍橋、北美、台灣和歐洲其他區域拓展業務，並向不斷成長的客戶提供獨特的價值主張。這筆重要的融資將推動CGD成長，專注於持續向高功率工業、數據中心和汽車市場提供高效GaN產品。
John Pearson | Parkwalk Advisors 首席投資官
「CGD正處於技術前沿，能有效降低人工智慧和電動車等高速成長產業能源消耗。CGD擁有巨大的全球潛力和廣泛的應用前景，這將推動公司持續創新和成長。自2019年以來，我們一直支持CGD，很高興能與這樣一支優秀的團隊及其他投資者合作，加速其全球擴張。”
George Mills | British Patient Capital 深科技部門董事、直接投資與共同投資負責人
「經過多年研究，CGD已經成功驗證了其半導體技術的影響力。與傳統的矽基裝置相比，他們的氮化鎵（GaN）裝置能耗更低，既降低了成本，又對環境帶來了積極影響。這是一項極具價值的技術，現在需要長期資本來實現規模化發展。」
12024年碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率化合物半導體市場監測－Yole Intelligence
www.camgandevices.com
